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存儲器
CYDM064B08-40BVXI參考圖片

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CYDM064B08-40BVXI

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 雙端口，MoBL
存儲容量
64Kb （8K x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
40ns
訪問時間
40ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V，2.4V ~ 2.6V，3V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
100-VFBGA
供應商器件封裝
100-VFBGA（6x6）
商品其它信息
優勢價格，CYDM064B08-40BVXI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 1G PARALLEL 56TSOP
暫無價格
參考庫存:40478
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA
暫無價格
參考庫存:40486
存儲器
IC PSRAM 64M PARALLEL 54VFBGA
暫無價格
參考庫存:40494
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
暫無價格
參考庫存:40502
存儲器
IC FLASH 1M PARALLEL 32TSOP
暫無價格
參考庫存:40510
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