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存儲器
CY7C1414BV18-200BZC參考圖片

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CY7C1414BV18-200BZC

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參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步,QDR II
存儲容量
36Mb (1M x 36)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA(15x17)
商品其它信息
優勢價格,CY7C1414BV18-200BZC的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 32M SPI 133MHZ WSON
暫無價格
參考庫存:25511
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA
暫無價格
參考庫存:25519
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:25527
存儲器
IC EERAM 16K I2C 1MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:25535
存儲器
IC CBRAM 512K SPI 20MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:25543
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