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MT29F4T08EYHBBG9-3R:B TR

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
閃存 - NAND
存儲容量
4Tb（512G x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
333MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
-
封裝/外殼
-
供應商器件封裝
-
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 128K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:49742
存儲器
IC SRAM 1.125M PARALLEL 256CABGA
暫無價格
參考庫存:49750
存儲器
IC SRAM 576K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:49758
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IC SRAM 512K PARALLEL 128TQFP
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參考庫存:49766
存儲器
IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC
暫無價格
參考庫存:49774
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