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存儲器

IS42RM16800G-6BLI參考圖片

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IS42RM16800G-6BLI

制造商:ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
批號:最新
描述:IC DRAM 128M PARALLEL 54TFBGA
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參數信息

參數	參數值
包裝	托盤
系列	-
零件狀態	Digi-Key 停產
存儲器類型	易失
存儲器格式	DRAM
技術	SDRAM - 移動
存儲容量	128Mb （8M x 16）
存儲器接口	并聯
時鐘頻率	166MHz
寫周期時間 - 字，頁	-
訪問時間	5.5ns
電壓 - 電源	2.3V ~ 2.7V
工作溫度	-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型	表面貼裝型
封裝/外殼	54-TFBGA
供應商器件封裝	54-TFBGA（8x8）

商品其它信息

優勢價格，IS42RM16800G-6BLI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。

推薦型號

圖片	型號	制造商	分類	數據手冊	描述	參考價格	庫存數量
	MT48V8M32LFB5-10 IT	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA	暫無價格	參考庫存:26300
	DS2030L-100#	Maxim Integrated	存儲器	PDF數據手冊	IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA	暫無價格	參考庫存:26308
	M29W320EB70ZE6E	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC FLASH 32M PARALLEL 48TFBGA	暫無價格	參考庫存:26316
	MT48LC16M16A2BG-75:D TR	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC DRAM 256M PARALLEL 54VFBGA	暫無價格	參考庫存:26324
	MT48LC32M8A2FB-75 L:D TR	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC DRAM 256M PARALLEL 60FBGA	暫無價格	參考庫存:26332

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