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產品分類

存儲器
MT49H8M36SJ-25E:B參考圖片

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MT49H8M36SJ-25E:B

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
DRAM
存儲容量
288Mb （8M x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
400MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
15ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
144-TFBGA
供應商器件封裝
144-FBGA（18.5x11）
商品其它信息
優勢價格，MT49H8M36SJ-25E:B的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EPROM 256K PARALLEL 28SOIC
暫無價格
參考庫存:30104
存儲器
IC EPROM 2M PARALLEL 32TSOP
暫無價格
參考庫存:30112
存儲器
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:30120
存儲器
IC EEPROM 4K I2C 1MHZ 8DFN
暫無價格
參考庫存:30128
存儲器
IC EEPROM 8K I2C 400KHZ 8DIP
暫無價格
參考庫存:30136
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