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存儲器
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IS49NLS18160-33BLI

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參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術(shù)
DRAM
存儲容量
288Mb (16M x 18)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
300MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
144-TFBGA
供應商器件封裝
144-FCBGA(11x18.5)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,IS49NLS18160-33BLI的國內(nèi)現(xiàn)貨當天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
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圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL
暫無價格
參考庫存:31212
存儲器
IC FLASH MEMORY 64MB
暫無價格
參考庫存:31220
存儲器
IC FLASH MEM 32MB 24TFBGA
暫無價格
參考庫存:31228
存儲器
IC SRAM 32K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:31236
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:31244
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