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存儲器
MT49H32M18CSJ-25E:B TR參考圖片

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MT49H32M18CSJ-25E:B TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
DRAM
存儲容量
576Mb （32M x 18）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
400MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
15ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
144-TFBGA
供應商器件封裝
144-FBGA（18.5x11）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
暫無價格
參考庫存:53034
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
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參考庫存:53042
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暫無價格
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IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2
暫無價格
參考庫存:53066
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