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存儲器

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MT47H512M4EB-25E:C

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR2
存儲容量
2Gb （512M x 4）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
400MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
400ps
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 85°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
60-TFBGA
供應商器件封裝
60-FBGA（9x11.5）
商品其它信息
優勢價格，MT47H512M4EB-25E:C的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH RAM 4G PARALLEL
暫無價格
參考庫存:49370
存儲器
IC FLASH 1G SPI 133MHZ 24TPBGA
暫無價格
參考庫存:49378
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
暫無價格
參考庫存:49386
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
暫無價格
參考庫存:49394
存儲器
IC DRAM 64M PARALLEL 86TSOP II
暫無價格
參考庫存:49402
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