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存儲器
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IS61NVP51236-200B3I

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步,SDR
存儲容量
18Mb (512K x 36)
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字,頁
-
訪問時間
3.1ns
電壓 - 電源
2.375V ~ 2.625V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LFBGA
供應商器件封裝
165-TFBGA(13x15)
商品其它信息
優勢價格,IS61NVP51236-200B3I的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 2M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:26632
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
暫無價格
參考庫存:26640
存儲器
IC NVSRAM 256K PARALLEL 48SSOP
暫無價格
參考庫存:26648
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:26656
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:26664
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