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存儲器
DS1230Y-200參考圖片

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DS1230Y-200

  • Maxim Integrated
  • 最新
  • IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
256Kb (32K x 8)
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字,頁
200ns
訪問時間
200ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
通孔
封裝/外殼
28-DIP 模塊(0.600",15.24mm)
供應商器件封裝
28-EDIP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 32SOJ
暫無價格
參考庫存:26336
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 165CABGA
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參考庫存:26368
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