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存儲器
DS1265Y-100參考圖片

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DS1265Y-100

  • Maxim Integrated
  • 最新
  • IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
管件
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
8Mb （1M x 8）
存儲器接口
并聯
寫周期時間 - 字，頁
100ns
訪問時間
100ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
通孔
封裝/外殼
36-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應商器件封裝
36-EDIP
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC RAM 2G PARALLEL 170FBGA
暫無價格
參考庫存:30754
存儲器
IC DRAM 4G PARALLEL 78FBGA
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參考庫存:30762
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IC FLASH 128G PARALLEL 166MHZ
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IC DRAM 1G PARALLEL 84TWBGA
暫無價格
參考庫存:30786
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