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存儲器

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EM6GE08EW8D-10H

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
不適用於新設計
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3
存儲容量
4Gb （512M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
933MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.425V ~ 1.575V
工作溫度
0°C ~ 95°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-VFBGA
供應商器件封裝
78-FBGA（9x10.5）
商品其它信息
優勢價格，EM6GE08EW8D-10H的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC MEMORY NOR
暫無價格
參考庫存:32140
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64FBGA
暫無價格
參考庫存:32148
存儲器
IC MEMORY NOR
暫無價格
參考庫存:32156
存儲器
IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:32164
存儲器
IC SRAM 64K PARALLEL 68PLCC
暫無價格
參考庫存:32172
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