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存儲器
CY14E116N-Z30XIT參考圖片

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CY14E116N-Z30XIT

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
16Mb （1M x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
30ns
訪問時間
30ns
電壓 - 電源
4.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬）
供應商器件封裝
48-TSOP I
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PAR 1.875NS 134VFBGA
暫無價格
參考庫存:54268
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
暫無價格
參考庫存:54276
存儲器
IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA
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參考庫存:54284
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
暫無價格
參考庫存:54300
存儲器
IC DRAM LPDDR4 4G FBGA
暫無價格
參考庫存:54308
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