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存儲器
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AS4C512M8D3LB-12BANTR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
汽車級，AEC-Q100
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - DDR3L
存儲容量
4Gb （512M x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
800MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
20ns
電壓 - 電源
1.283V ~ 1.45V
工作溫度
-40°C ~ 105°C（TC）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
78-VFBGA
供應商器件封裝
78-FBGA（10.5x9）
商品其它信息
優勢價格，AS4C512M8D3LB-12BANTR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
暫無價格
參考庫存:27884
存儲器
IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP
暫無價格
參考庫存:27892
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IC DRAM 16M PARALLEL 50TSOP II
暫無價格
參考庫存:27900
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 84FBGA
暫無價格
參考庫存:27908
存儲器
IC DRAM 64M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:27916
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