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存儲器
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W947D2HBJX5I TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - 移動 LPDDR
存儲容量
128Mb （4M x 32）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
15ns
訪問時間
5ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
90-TFBGA
供應商器件封裝
90-VFBGA（8x13）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 128M PARALLEL 54VFBGA
暫無價格
參考庫存:41294
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
暫無價格
參考庫存:41310
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 48MINIBGA
暫無價格
參考庫存:41318
存儲器
IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP
暫無價格
參考庫存:41326
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 209LFBGA
暫無價格
參考庫存:41334
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