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存儲器

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MT29F512G08EBHBFJ4-T:B

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（TLC）
存儲容量
512Gb （64G x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.95V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
132-VBGA
供應商器件封裝
132-VBGA（12x18）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 64K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:48795
存儲器
IC NVSRAM 4M PARALLEL
暫無價格
參考庫存:48803
存儲器
IC SRAM 64K PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:48811
存儲器
IC SRAM 512K PARALLEL 108PGA
暫無價格
參考庫存:48819
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 165CABGA
暫無價格
參考庫存:48827
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