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存儲器
IS61NLP25636B-200TQLI參考圖片

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IS61NLP25636B-200TQLI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，SDR
存儲容量
9Mb （256K x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.1ns
電壓 - 電源
3.135V ~ 3.465V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
100-LQFP
供應商器件封裝
100-LQFP（14x20）
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 66TSOP II
暫無價格
參考庫存:53034
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 54TFBGA
暫無價格
參考庫存:53042
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 54TSOP
暫無價格
參考庫存:53050
存儲器
IC FLASH NAND 4G SLC TBGA
暫無價格
參考庫存:53058
存儲器
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP2
暫無價格
參考庫存:53066
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