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存儲器
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IS61DDB21M18A-300B4L

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 同步，DDR II
存儲容量
18Mb （1M x 18）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
300MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
1.71V ~ 1.89V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-LFBGA（13x15）
商品其它信息
優勢價格，IS61DDB21M18A-300B4L的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
暫無價格
參考庫存:32942
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:32950
存儲器
IC SRAM 36M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:32958
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA
暫無價格
參考庫存:32966
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60VFBGA
暫無價格
參考庫存:32974
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