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存儲器
MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR參考圖片

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MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR

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參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
DRAM
技術
SDRAM - Mobile LPDDR4
存儲容量
8Gb （256M x 32）
存儲器接口
-
時鐘頻率
1.866GHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
0.6V，1.1V
工作溫度
-30°C ~ 85°C
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
200-WFBGA
供應商器件封裝
200-WFBGA（10x14.5）
商品其它信息
優勢價格，MT53E256M32D2DS-053 WT:B TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:43403
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IC SRAM 4.5M PARALLEL 119PBGA
暫無價格
參考庫存:43435
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