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存儲器

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MT29F512G08EBLCEJ4-R:C

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參數信息
參數參數值
包裝
散裝
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
閃存
技術
FLASH - NAND（TLC）
存儲容量
512Gb （64G x 8）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
-
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
132-VBGA
供應商器件封裝
132-VBGA（12x18）
商品其它信息
優勢價格，MT29F512G08EBLCEJ4-R:C的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 28TSOP
暫無價格
參考庫存:36898
存儲器
IC SRAM 18M PARALLEL 165CABGA
暫無價格
參考庫存:36906
存儲器
IC SRAM 1M PARALLEL 44SOJ
暫無價格
參考庫存:36914
存儲器
IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:36922
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:36930
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