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存儲器
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IS66WV51216EBLL-70BLI-TR

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
易失
存儲器格式
PSRAM
技術
PSRAM（偽 SRAM）
存儲容量
8Mb （512K x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
70ns
訪問時間
70ns
電壓 - 電源
2.5V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-TFBGA（6x8）
商品其它信息
優勢價格，IS66WV51216EBLL-70BLI-TR的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 16M PARALLEL 90FBGA
暫無價格
參考庫存:34015
存儲器
IC FLASH 128M SPI 133MHZ 16SOIC
暫無價格
參考庫存:34023
存儲器
IC DRAM 16G 2133MHZ
暫無價格
參考庫存:34031
存儲器
IC DRAM 576M PARALLEL 168BGA
暫無價格
參考庫存:34039
存儲器
IC SRAM 72M PARALLEL 100LQFP
暫無價格
參考庫存:34047
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