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RM25C512C-LSNI-T

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系列
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存儲(chǔ)器類型
非易失
存儲(chǔ)器格式
CBRAM?
技術(shù)
CBRAM
存儲(chǔ)容量
512kb(128B 頁大小)
存儲(chǔ)器接口
SPI
時(shí)鐘頻率
20MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁
100μs,5ms
電壓 - 電源
1.65V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝
8-SOIC
商品其它信息
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存儲(chǔ)器
IC EEPROM 4K SPI 20MHZ 8TSSOP
暫無價(jià)格
參考庫存:46249
存儲(chǔ)器
IC EEPROM 2M SPI 10MHZ 8SO
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IC NVSRAM 256K PARALLEL 32SOIC
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1.7-3.6V 1MHZ IND TMP 8-UDFN
暫無價(jià)格
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IC SRAM 144M PARALLEL 165FBGA
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