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存儲(chǔ)器
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CY7C1426KV18-300BZC

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲(chǔ)器類型
易失
存儲(chǔ)器格式
SRAM
技術(shù)
SRAM - 同步,QDR II
存儲(chǔ)容量
36Mb (4M x 9)
存儲(chǔ)器接口
并聯(lián)
時(shí)鐘頻率
300MHz
寫周期時(shí)間 - 字,頁
-
訪問時(shí)間
-
電壓 - 電源
1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 70°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應(yīng)商器件封裝
165-FBGA(13x15)
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,CY7C1426KV18-300BZC的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫存數(shù)量
存儲(chǔ)器
IC EEPROM 64K PARALLEL 28SOIC
暫無價(jià)格
參考庫存:23484
存儲(chǔ)器
NOR FLASH
暫無價(jià)格
參考庫存:23492
存儲(chǔ)器
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8DIP
暫無價(jià)格
參考庫存:23500
存儲(chǔ)器
IC EEPROM 16K I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價(jià)格
參考庫存:23508
存儲(chǔ)器
8M X 18 (144 MEG) NBT
暫無價(jià)格
參考庫存:23518
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