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存儲器
CYD09S36V18-200BBXC參考圖片

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CYD09S36V18-200BBXC

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
易失
存儲器格式
SRAM
技術
SRAM - 雙端口，同步
存儲容量
9Mb （256K x 36）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
200MHz
寫周期時間 - 字，頁
-
訪問時間
3.3ns
電壓 - 電源
1.42V ~ 1.58V，1.7V ~ 1.9V
工作溫度
0°C ~ 70°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
256-LBGA
供應商器件封裝
256-FBGA（17x17）
商品其它信息
優勢價格，CYD09S36V18-200BBXC的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 72M PARALLEL 165FBGA
暫無價格
參考庫存:55561
存儲器
IC SRAM 4.5M PARALLEL 208CABGA
暫無價格
參考庫存:55569
存儲器
IC SRAM 256K PARALLEL 84PGA
暫無價格
參考庫存:55577
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:55585
存儲器
IC SRAM 1.125M PARALLEL 208CABGA
暫無價格
參考庫存:55593
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