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存儲器

DS1245Y-120IND+參考圖片

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DS1245Y-120IND+

制造商:Maxim Integrated
批號:最新
描述:IC NVSRAM 1M PARALLEL 32EDIP
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參數信息

參數	參數值
包裝	管件
系列	-
零件狀態	有源
存儲器類型	非易失
存儲器格式	NVSRAM
技術	NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量	1Mb （128K x 8）
存儲器接口	并聯
時鐘頻率	并聯
寫周期時間 - 字，頁	120ns
訪問時間	120ns
電壓 - 電源	4.5V ~ 5.5V
工作溫度	-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型	通孔
封裝/外殼	32-DIP 模塊（0.600"，15.24mm）
供應商器件封裝	32-EDIP

商品其它信息

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推薦型號

圖片	型號	制造商	分類	數據手冊	描述	參考價格	庫存數量
	NAND256W3A2BNXE	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC FLASH 256M PARALLEL 48TSOP	暫無價格	參考庫存:38544
	MT41K1G8THE-15E:D	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC DRAM 8G PARALLEL 78FBGA	暫無價格	參考庫存:38552
	MT47H1G4WTR-25E:C	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC DRAM 4G PARALLEL 63FBGA	暫無價格	參考庫存:38568
	MT41J128M16HA-107G:D	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC DRAM 2G PARALLEL 96FBGA	暫無價格	參考庫存:38576
	MT29F2G16ABBEAH4-IT:E	Micron Technology Inc.	存儲器	PDF數據手冊	IC FLASH 2G PARALLEL 63VFBGA	暫無價格	參考庫存:38584

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