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存儲器
CY14V116N-BZ30XI參考圖片

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CY14V116N-BZ30XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
16Mb （1M x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
30ns
訪問時間
30ns
電壓 - 電源
1.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
165-LBGA
供應商器件封裝
165-FBGA（15x17）
商品其它信息
優勢價格，CY14V116N-BZ30XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8MSOP
暫無價格
參考庫存:62254
存儲器
IC EEPROM 8K SPI 3MHZ 8TDFN
暫無價格
參考庫存:62262
存儲器
IC EEPROM 2K SPI 2MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:62270
存儲器
IC EEPROM 1K I2C 1MHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:62278
存儲器
IC EEPROM 2K I2C 400KHZ 8SOIC
暫無價格
參考庫存:62286
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