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存儲器
CY14V104NA-BA25XI參考圖片

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CY14V104NA-BA25XI

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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術
NVSRAM（非易失性 SRAM）
存儲容量
4Mb （256K x 16）
存儲器接口
并聯
時鐘頻率
并聯
寫周期時間 - 字，頁
25ns
訪問時間
25ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應商器件封裝
48-FBGA（6x10）
商品其它信息
優勢價格，CY14V104NA-BA25XI的國內現貨當天可發貨,國外現貨7-10天發貨可發貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:47099
存儲器
IC FLASH 512M PARALLEL
暫無價格
參考庫存:47107
存儲器
IC SRAM 16M PARALLEL 48VFBGA
暫無價格
參考庫存:47123
存儲器
IC FLASH 1G SPI 80MHZ
暫無價格
參考庫存:47131
存儲器
IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP
暫無價格
參考庫存:47139
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