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TH58BYG2S3HBAI4

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參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
Benand?
零件狀態(tài)
有源
存儲(chǔ)器類型
非易失
存儲(chǔ)器格式
閃存
技術(shù)
FLASH - NAND(SLC)
存儲(chǔ)容量
4Gb (512M x 8)
存儲(chǔ)器接口
-
時(shí)鐘頻率
-
寫周期時(shí)間 - 字,頁(yè)
-
訪問時(shí)間
-
電壓 - 電源
-
工作溫度
-40°C ~ 85°C
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
63-VFBGA
供應(yīng)商器件封裝
63-TFBGA(9x11)
商品其它信息
優(yōu)勢(shì)價(jià)格,TH58BYG2S3HBAI4的國(guó)內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國(guó)外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號(hào)
圖片型號(hào)制造商分類數(shù)據(jù)手冊(cè)描述參考價(jià)格庫(kù)存數(shù)量
存儲(chǔ)器
4MB SPI FLASH USB FIRMWARE MEMOR
暫無價(jià)格
參考庫(kù)存:25364
存儲(chǔ)器
IC FLASH 4G PARALLEL 48TSOP I
暫無價(jià)格
參考庫(kù)存:25372
存儲(chǔ)器
4KB I2C EEPROM 1MHZ 1.7-5.5V 8-U
暫無價(jià)格
參考庫(kù)存:25380
存儲(chǔ)器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
暫無價(jià)格
參考庫(kù)存:25388
存儲(chǔ)器
IC DRAM 512M PARALLEL 90VFBGA
暫無價(jià)格
參考庫(kù)存:25396
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