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存儲器
BR25A512FVT-3MGE2參考圖片

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BR25A512FVT-3MGE2

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • 105°C OPERATION SPI BUS EEPR
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
標準卷帶
系列
-
零件狀態
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術
EEPROM
存儲容量
512Kb （64K x 8）
存儲器接口
SPI
時鐘頻率
10MHz
寫周期時間 - 字，頁
5ms
電壓 - 電源
2.5V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 105°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬）
供應商器件封裝
8-TSSOP-B
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
暫無價格
參考庫存:40315
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IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II
暫無價格
參考庫存:40323
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IC FLASH 256M SPI 24TFBGA
暫無價格
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IC FLASH 256M PARALLEL 64BGA
暫無價格
參考庫存:40355
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