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存儲器
CY14V104LA-BA45XI參考圖片

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CY14V104LA-BA45XI

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數(shù)據(jù)手冊
參數(shù)信息
參數(shù)參數(shù)值
包裝
托盤
系列
-
零件狀態(tài)
有源
存儲器類型
非易失
存儲器格式
NVSRAM
技術(shù)
NVSRAM(非易失性 SRAM)
存儲容量
4Mb (512K x 8)
存儲器接口
并聯(lián)
時鐘頻率
并聯(lián)
寫周期時間 - 字,頁
45ns
訪問時間
45ns
電壓 - 電源
2.7V ~ 3.6V
工作溫度
-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
48-TFBGA
供應(yīng)商器件封裝
48-FBGA(6x10)
商品其它信息
優(yōu)勢價格,CY14V104LA-BA45XI的國內(nèi)現(xiàn)貨當(dāng)天可發(fā)貨,國外現(xiàn)貨7-10天發(fā)貨可發(fā)貨。
推薦型號
圖片型號制造商分類數(shù)據(jù)手冊描述參考價格庫存數(shù)量
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 60FBGA
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參考庫存:6230
存儲器
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IC FLASH 64M PARALLEL 48FBGA
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參考庫存:6970
存儲器
IC FRAM 64K SPI 20MHZ 8SOIC
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參考庫存:5252
存儲器
IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II
暫無價格
參考庫存:7789
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