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存儲器
BR24G128NUX-3TTR參考圖片

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BR24G128NUX-3TTR

  • Rohm Semiconductor
  • 最新
  • IC EEPROM 128K I2C VSON008X2030
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數據手冊
參數信息
參數參數值
包裝
剪切帶（CT）
系列
-
零件狀態
停產
存儲器類型
非易失
存儲器格式
EEPROM
技術
EEPROM
存儲容量
128Kb （16K x 8）
存儲器接口
I2C
時鐘頻率
400kHz
寫周期時間 - 字，頁
5ms
訪問時間
5ms
電壓 - 電源
1.6V ~ 5.5V
工作溫度
-40°C ~ 85°C（TA）
安裝類型
表面貼裝型
封裝/外殼
8-UFDFN 裸露焊盤
供應商器件封裝
VSON008X2030
商品其它信息
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推薦型號
圖片型號制造商分類數據手冊描述參考價格庫存數量
存儲器
IC DRAM 512M PARALLEL 60FBGA
暫無價格
參考庫存:30780
存儲器
IC DRAM 256M PARALLEL 90VFBGA
暫無價格
參考庫存:30788
存儲器
APG STANDARD
暫無價格
參考庫存:30796
存儲器
IC EEPROM 256 1WIRE 6TSOC
暫無價格
參考庫存:30804
存儲器
IC DRAM 1G PARALLEL 66TSOP
暫無價格
參考庫存:30812
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